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美國(guó)2D Semiconductors代理商 2026授權(quán)代理-上海起發(fā)

更新時(shí)間:2026-01-22      點(diǎn)擊次數(shù):65

公司介紹

2D Semiconductors 是一家專注于二維材料研發(fā)與生產(chǎn)的科技企業(yè),致力于通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)推動(dòng)材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、能源及電子等領(lǐng)域的突破。公司以“可靠、高效、精準(zhǔn)"為核心理念,提供從基礎(chǔ)材料到應(yīng)用解決方案的全鏈條服務(wù),助力科研團(tuán)隊(duì)及企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)。  


?? 下圖為"上海起發(fā)"作為其代理的代理書(shū)

美國(guó)2D Semiconductors代理商 2026授權(quán)代理-上海起發(fā)

核心優(yōu)勢(shì)

1. 材料科學(xué)領(lǐng)域的深度積累  

   依托合成技術(shù)(如化學(xué)氣相沉積、分子束外延等),公司生產(chǎn)的二維材料具有高結(jié)晶度、低缺陷率的特點(diǎn),覆蓋石墨烯、MXene、過(guò)渡金屬硫化物(如MoS?、WS?)等多種類型,滿足從基礎(chǔ)研究到工業(yè)應(yīng)用的多樣化需求。  

2. 技術(shù)平臺(tái)的多維覆蓋  

   整合材料合成、表征與應(yīng)用開(kāi)發(fā)能力,提供從實(shí)驗(yàn)室規(guī)模到中試生產(chǎn)的完整技術(shù)支持。例如,通過(guò)原子層沉積(ALD)技術(shù)實(shí)現(xiàn)單層材料的精準(zhǔn)控制,或通過(guò)CVD工藝在柔性基底上生長(zhǎng)大面積二維薄膜。  

3. 嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系  

   采用HR-TEM、拉曼光譜、XRD等表征手段,確保材料純度(達(dá)99.999%)、形貌和性能的一致性,為科研實(shí)驗(yàn)提供可靠保障。  

美國(guó)2D Semiconductors代理商 2026授權(quán)代理-上海起發(fā)

熱門(mén)產(chǎn)品介紹

1. BLK-WS?  

   品名:二硫化鎢(WS?)單層  

   特性:適用于光電器件、催化及潤(rùn)滑領(lǐng)域,單層厚度僅0.7納米,電子遷移率高,支持藍(lán)寶石、石英等多種基底定制。  

2. CVD-MoS?-ML-SiO?/Si  

   品名:化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的MoS?單層(覆蓋全區(qū)域)  

   特性:在SiO?/Si基底上實(shí)現(xiàn)均勻單層覆蓋,適用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器等器件開(kāi)發(fā)。  

3. BLK-hBN-HPA  

   品名:六方氮化硼(h-BN)單層  

   特性:高絕緣性、化學(xué)惰性,可作為二維電子器件的絕緣層或封裝材料。  

4. BLK-MoTe?  

   品名:二碲化鉬(MoTe?)單層  

   特性:具有可調(diào)帶隙(從金屬到半導(dǎo)體),適用于紅外探測(cè)、低功耗電子器件。  

5. CVD-WS?-ML-SiO?/Si  

   品名:化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的WS?單層  

   特性:支持大面積均勻生長(zhǎng),適用于柔性電子和能源存儲(chǔ)領(lǐng)域。  

美國(guó)2D Semiconductors代理商 2026授權(quán)代理-上海起發(fā)

解決實(shí)驗(yàn)中的核心問(wèn)題

1. 材料表征難題  

   傳統(tǒng)二維材料易受雜質(zhì)或晶格缺陷影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。2D Semiconductors通過(guò)高精度表征技術(shù)(如拉曼光譜、原子力顯微鏡)確保材料純度與結(jié)構(gòu)完整性,減少實(shí)驗(yàn)誤差。  

2. 實(shí)驗(yàn)效率瓶頸  

   提供預(yù)表征材料包,減少客戶自行優(yōu)化的時(shí)間成本。例如,CVD法生長(zhǎng)的單層MoS?可直接用于器件制備,縮短研發(fā)周期。  

3. 跨領(lǐng)域應(yīng)用適配性  

   針對(duì)生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等場(chǎng)景開(kāi)發(fā)專用材料(如生物相容性MXene),解決傳統(tǒng)材料在復(fù)雜環(huán)境中的穩(wěn)定性問(wèn)題。  

美國(guó)2D Semiconductors代理商 2026授權(quán)代理-上海起發(fā)

目標(biāo)客戶群體

• 科研機(jī)構(gòu):高校、國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等需高精度材料的團(tuán)隊(duì)。  

• 生物科技企業(yè):開(kāi)發(fā)新型生物傳感器、診療設(shè)備的公司。  

• 能源行業(yè):從事鋰電池、光伏材料研發(fā)的企業(yè)。  

• 電子制造商:布局柔性電子、微型化器件的廠商。  


購(gòu)買(mǎi)常見(jiàn)問(wèn)題與解答

Q1:材料純度如何保證?  

A:所有產(chǎn)品均通過(guò)HR-TEM、XRD等多重檢測(cè),純度標(biāo)注為值(如99.999%),并提供第三方檢測(cè)報(bào)告。  

Q2:能否定制特殊基底或尺寸?  

A:支持定制化服務(wù),例如在PET、藍(lán)寶石等基底上生長(zhǎng)單層材料,最小尺寸可至1cm×1cm。  

Q3:批次間一致性如何?  

A:采用標(biāo)準(zhǔn)化合成流程與嚴(yán)格品控,批次差異控制在±5%以內(nèi),并附批次號(hào)追溯信息。  

Q4:是否提供技術(shù)支持?  

A:擁有專業(yè)團(tuán)隊(duì)提供材料應(yīng)用指導(dǎo),包括器件設(shè)計(jì)、性能優(yōu)化等咨詢服務(wù)。  


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??賣(mài)產(chǎn)品

貨號(hào)

品名

規(guī)格

品牌

BLK-Cr2Te3

Cr2Te3 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-TiS2

TiS2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-HfS2-FLX

HfS2 Crystal Flux zone growth

ea

2D Semiconductors

CVD-MoS2-ML-SP

MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

BLK-VTe2

VTe2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-WS2

Tungsten Disulfide (WS2)

ea

2D Semiconductors

BLK-WSe2-P

WSe2 Crystal

p-Type

2D Semiconductors

BLK-WSe2-PREM

Premium Ultra-Flat WSe2 Synthetic Crystals

ea

2D Semiconductors

BLK-YBCO

YBCO Crystal,Up to 1 cm size

ea

2D Semiconductors

BLK-ZRS2

Zirconium Disulfide (ZrS2)

ea

2D Semiconductors

BLK-ZrSe2

ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-ZrTe2

ZrTe2 Crystal

ea

2D Semiconductors

CVD-MoS2-ML-S

Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

ea

2D Semiconductors

BLK-Ta3FeS6

Ta3FeS6 Crystal

ea

2D Semiconductors

CVD-MoSe2-ML-SP

MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

CVD-SnSe2-ML-SP

SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

CVD-WS2-ML-SiO2Si

WS2 on SiO2/Si

ea

2D Semiconductors

CVD-WS2-ML-SP

WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

CVD-WSe2-ML-SP

WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

kish-graphite

Kish graphite

ea

2D Semiconductors

MBE-MoS2

MoS2 - MBE on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

MBE-MoSe2

MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire

ea

2D Semiconductors

SOL-NbS2-IS

NbS2 Solution-DI water

1

2D Semiconductors

SOL-ReS2-IS

ReS2 Solution-DI water

1

2D Semiconductors

BLK-GR-I2

Graphite - I2 intercalated

ea

2D Semiconductors

BLK-BSCCO-2223

BSCCO Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-CrTe2

CrTe2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-Fe3GaTe2

Fe3GaTe2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-Fe4GeTe2

Fe4GeTe2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-FeI2

FeI2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-g-C3N4

g-C3N4 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-GaPS4

GaPS4 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-GR-Br2

Graphite - Br2 intercalated

ea

2D Semiconductors

BLK-BA

Black Arsenic

ea

2D Semiconductors

BLK-hBN-HPA

Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

ea

2D Semiconductors

BLK-hBN-LG

h-BN Crystal (large size)

ea

2D Semiconductors

BLK-MoS2-PREM

Premium Ultra-Flat MoS2 Synthetic Crystals

ea

2D Semiconductors

BLK-MoS2-SYN-FLX

MoS2 - Synthetic Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-MoTe2

Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2)

ea

2D Semiconductors

BLK-NbOCl2

NbOCl2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-NiPS3

NiPS3 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-ReSe2

ReSe2 Crystal

ea

2D Semiconductors

BLK-PTAS

PTAS (solid)

ea

2D Semiconductors

BLK-CrOCl

CrOCl Crystal

a few mm-sized crystals

2D Semiconductors

SOL-PTAS

PTAS (liquid)

ea

2D Semiconductors

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